SiC-PVT

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TWD

 PVT育成炉規格

 

(1)

加热温度

MAX2500°C

(2)

高周波電源

50KW7-15KHz

(3)

温度検出

坩堝上下を放射温度計で測温

(4)

制御方法

コイル電流制御(ACC)放射温度計制御(ATC) 手動方式

(5)

温度控制精度

0.1%FS(ACC)2500 °C5 °C (ATC)

(6)

雰囲気ガス

真空、Ar N2

(7)

到達圧力

1.33x 10-3Pa (常温空炉時

(8)

圧力制御範囲

(133101) x105 Pa0.1%FS

低圧侧 1.0100.00.1 Torr

高圧侧1007605 Torr