SiC-LPE

hp-lpe
TWD

 LPE育成炉

(1)

加熱温度

MAX2400 ℃

(2)

加熱方式

高周波誘導加熱

(3)

熔液制御

直流コイル誘導加熱

(4)

制御方法

コイル電流制御(ACC)温度計制御 (ATC)、手動方式

(5)

温度制御精度

0.1% FS (ACC) 1800 ℃5℃ (ATC)

(6)

雰囲気ガス

Ar N2

(7)

到達圧力

常圧