SiC-CVD

ht-cvd_1470364304
TWD

HT-CVD育成炉規格

(1)

石英反応管寸法

ID280xH1260

(2)

加熱温度

MAX2500 ℃

(3)

加熱方式

高周波誘導加熱

(4)

温度検出

ルツボ上下を放射温度計で測定

(5)

制御方法

コイル電流制御 (ACC)放射温度計制御 (ATC)手動制御

(6)

温度制御制度

0.1% FS (ACC) 1800 ℃5℃ (ATC)

(7)

雰囲気ガス

真空、Ar N2SiH4C3H8、他etc

(8)

到達圧力

13Pa (常温空炉時

(9)

圧力制御範囲

(10100) kPa0.1%FS

(76760)5 Torr